なお、本製品は「PCIM Asia 2020」（11月16日～18日、於：中華人民共和国・上海）に出展予定です。
新製品の特長
1. 高性能SiC-MOSFETを搭載し、電源システムの低消費電力化と小型化に貢献
- JFETドーピング技術※2を適用した新開発のSiC-MOSFET搭載することで、低オン抵抗と低スイッチング損失を両立し、業界最高水準※3の性能指数（FOM=1450mΩ・nC）※4を実現。従来のSi-IGBT品と比べて電力損失を約85％低減し、電源システムの低消費電力化に貢献
- 誤動作を誘引する帰還容量※5の低減により、一般的なSiC-MOSFETの課題である誤動作耐量を他社同等品比で約14倍改善※6。高速スイッチング動作が可能となり、スイッチング損失低減に寄与
- スイッチング損失低減による放熱機器の小型・簡素化や、高キャリア周波数※7駆動によるリアクトルなどの周辺部品の小型化により、システム全体での小型化と低コスト化に貢献
2. AEC-Q101準拠3品種を含む計6品種をラインアップし、幅広い用途に対応
- AEC-Q101※8に準拠した3品種を含む計6品種をラインアップ。車載充電器や太陽光発電などの幅広い電源システムに対応
本リリースの詳細は下記をご参照ください。
https://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2020/0616.html
概要：三菱電機株式会社
詳細は http://www.mitsubishielectric.co.jp をご覧ください。
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