東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したMOSFET「SSM6N357R」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。








新製品は、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。



さらに、新製品はデュアルタイプパッケージ(2in1)を採用しており、当社シングルタイプパッケージ品「SSM3K357R」(2.4 x 2.9 x
0.8 mm)を2個使用する場合と比較して、実装面積を42%程度低減します。



また、業界標準のTSOP6Fクラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適合により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。



応用機器




  • 車載向け リレー、ソレノイド駆動用


  • 産業向け リレー、ソレノイド駆動用


  • OA機器向け クラッチ駆動用



新製品の主な特長




  • 周辺部品の削減が可能


  • 3.0V低電圧動作


  • デュアルパッケージ品 (2 in 1)


  • AEC-Q101適合











































































 


新製品の主な仕様




(@Ta=25℃)



項目

 

特性

絶対最大定格

 

ドレイン・ソース間電圧


VDSS (V)




60


ゲート・ソース間電圧


VGSS (V)




±12


ドレイン電流


ID (A)




0.65

電気的特性


ドレイン・ソース間オン抵抗


RDS(ON) max



(mΩ)



 

|VGS|=3.0V


2400



|VGS|=5.0V


1800


ゲート入力電荷量


Qg typ. (nC)




1.5


入力容量


Ciss typ. (pF)




43

パッケージ

 

TSOP6F

 

2.9mm×2.8mm;t=0.8mm

 


当社の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html



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情報提供元: ビジネスワイヤ
記事名:「 東芝デバイス&ストレージ(株):小型デュアルパッケージのリレー駆動用小型MOSFET発売について