東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 株式会社東芝
ストレージ&デバイスソリューション社
は、高効率電源向けに、低オン抵抗と高速スイッチング特性を改善した低電圧駆動のパワーMOSFETの新製品として、800
V耐圧でスーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFET 8製品を「DTMOS
IV(ディーティーモス・フォー)シリーズ」のラインアップに追加し、本日から出荷を開始します。








新製品は、スーパージャンクション構造を適用することによって、単位面積当たりのオン抵抗「RON x
A」を、当社既存製品「π-MOSVIIIシリーズ」に比べて約79%低減しています。また、高速スイッチング特性により、応用機器の電源効率の改善に貢献することが可能です。各種産業用電源、各種サーバー用スタンバイ電源、ノートPCやモバイル機器向けのアダプターやチャージャー、LED照明用電源などの応用機器に対応する製品です。


































































































































































 


*新製品のラインアップ・主な仕様:




(@Ta=25°C)



品番

 

パッケージ

 

絶対最大定格

 


ドレイン・ソース
間オン抵抗
RDS(ON)
@VGS=10
V
(Ω)



 


ゲート入力電荷量
Qg typ.
@VDD≈640 V,
VGS=10
V,
ID=Maximum
Rating
(nC)



 


入力容量
Cisstyp.
@VDS=300 V,
VGS=0
V,
f=1 MHz
(pF)






ドレイン・
ソース間
電圧
VDSS
@
ID=10
mA



(V)



 


ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)






TK17A80W


TO-220SIS


800


17


0.29


32



2050[注1]



TK12A80W


TO-220SIS


800


11.5


0.45


23


1400

TK10A80W


TO-220SIS


800


9.5


0.55


19


1150

TK7A80W


TO-220SIS


800


6.5


0.95


13


700

TK17E80W


TO-220


800


17


0.29


32



2050[注1]



TK12E80W


TO-220


800


11.5


0.45


23


1400

TK10E80W


TO-220


800


9.5


0.55


19


1150

TK7E80W

 

TO-220

 

800

 

6.5

 

0.95

 

13

 

700


[注1]測定条件 f=100 kHz



 


新製品を含む東芝の中高耐圧MOSFET製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/hv-mosfet.html



お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
パワーデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html



*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。




Contacts


報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
株式会社東芝
ストレージ&デバイスソリューション社
デジタルマーケティング部
高畑浩二
Tel:
03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp



情報提供元: ビジネスワイヤ
記事名:「 東芝:高効率電源向けに低オン抵抗と高速スイッチング特性を改善した800V耐圧スーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFETの発売について